Nec ha annunciato una nuova linea di transistor SiGeHBT (Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor) a 5 GHz, che sono ideali per gli amplificatori ad alta frequenza utilizzati nelle comunicazioni mobili e nelle LAN wireless. Questa nuova linea di transistor SIGE offre sensibili vantaggi, in termini di costo, rispetto ai tradizionali transistor all’arseniuro di gallio, in quanto il silicio è abbondantissimo e poco costoso.
Inoltre, la differenza di potenziale fra collettore ed emettitore è stata portata a 5 volt, migliorando di una volta e mezza le caratteristiche dei transistor analoghi.
Queste caratteristiche consentono una maggior flessibilità e libertà di progettazione dei circuiti, grazie anche ad un basso livello di rumore e un alto guadagno.
Ad esempio, il modello NESG2021M05 a basso rumore, alto guadagno e basso voltaggio costa soltanto 30 yen (circa 0,26 euro), mentre il modello NESG2031M05, a basso rumore e alto guadagno costa 50 yen (circa 0,43 euro). Alcuni prototipi sono già pronti per essere consegnati, mentre la produzione in volume è prevista per settembre. All’inizio la capacità di produzione sarà di 1 milione di unità al mese e, a partire da marzo 2003, diventerà di 10 milioni di unità al mese.