La società statunitense Nantero ha annunciato la realizzazione del primo modulo di memoria da 10Gb che sfrutta le memorie nanotecnologiche (NRAM).
Il dispositivo è stato costruito utilizzando le tecnologie di produzione dei chip classiche, adoperando però nanotubi di carbonio grandi un miliardesimo di metro appoggiati su una cialda di silicio. Questo permette di combinare i costi ridotti di produzione e la velocità delle memorie dinamiche, con la non volatilità delle memorie flash.
Questo nuovo sistema potrebbe portare al rimpiazzo delle memorie DRAM, delle memorie flash e degli hard disk con una vasta gamma di prodotti
Le NRAM funzionano appoggiando i nanotubi su lastre di silicio: sotto differenti cariche elettriche, i tubi possono essere fisicamente spostati in modo tale da assumere posizioni che corrispondano allo zero e all’uno. Questo avviene a enormi velocità e con pochissimo dispendio di energia, date le infinitesime dimensioni di questi nanotubi, che risultano essere anche conduttori molto migliori del tradizionale rame.
I problemi di allineamento sono stati risolti lavorando la cialda solo dopo l’applicazione dei tubi, attraverso processi particolarmente raffinati.
Le licenze di produzione saranno concesse ad altri produttori di chip; si ipotizza che il mercato per questo tipo di memorie può avere una valore intorno ai 100 miliardi di dollari. Nantero non ha ancora rivelato una data di commercializzazione per la sua nuova tecnologia
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