Intel ha annuciato di aver messo a punto la produzione in grandi quantità di semiconduttori di nuova generazione funzionanti con la tecnologia di processo a 65 nanometri (nm). Intel intende mettere in produzione questo processo nel 2005 utilizzando wafer da 300 mm.
Il nuovo processo a 65 nm (un nanometro corrisponde a un miliardesimo di metro) offre transistor dalle prestazioni più elevate e a basso consumo di energia, una versione di seconda generazione del silicio “strained” di Intel, interconnessioni in rame ad alta velocità e un materiale dielettrico low-k (a bassa costante k). Realizzando chip con il processo a 65 nm, Intel sarà in grado di raddoppiare il numero di transistor installabili su un unico chip.
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